第一届HAXPES硬X射线光电子能谱研讨会（第一轮通知）

X射线光电子能谱（XPS）是实现对样品表面元素组分和化学态定性和定量分析的无损探测技术，已经广泛应用于科学研究和产业领域。传统的XPS采用软X射线作为光源，其分析深度一般是表面10 nm以内，而涉及体相的深度分析需要借助离子束刻蚀的方法来进行。然而，基于离子刻蚀的XPS深度分析是一个样品破坏过程，可能导致化学态的破坏而产生假象，因此亟需开发无损的深度分析方法。为此，硬X射线光电子能谱（简称HAXPES）应运而生，它采用更高能量的硬X射线（5-10 KeV）作为激发源，所激发产生的光电子具有更大的非弹性平均自由程，因此HAXPES可以将XPS的探测深度扩展到几十纳米。HAXPES的独特优势，不仅能够实现对界面结构的无损深度分析，还能将探测信息延伸至更深的芯能级。因此，HAXPES将为基础科学研究和相关产业发展提供强有力的支撑。

国际范围内HAXPES已经得到了广泛的应用，如对半导体器中金属氧化物界面层的无损探测以及固液界面的电子结构原位分析等方面都取得了重要的进展。但国内基于HAXPES的基础研究和应用研究仍处于起步阶段，特别是基于同步辐射光源的HAXPES设施还比较欠缺。上海光源的能源材料线（简称E-line）是国内第一条覆盖软、硬X射线能区的复合型线站，光子能量范围为130-18000 eV，是开展HAXPES基础研究及应用研究的理想平台，并发展了超宽能区近常压XPS以及HAXPES方法。同时，基于Cr靶 (Kα, 5.42 KeV) 和Ga靶 (Kα, 9.25 KeV) 的X射线源也已经成功应用于实验室HAXPES仪器。

在此背景下，我们诚挚邀请海内外研究人员、学者及行业专家，齐聚上海张江科学城，相遇“第一届HAXPES硬X射线光电能谱研讨会”。通过深入研讨与交流，促进HAXPES方法学的理论创新与实践应用，加速国内HAXPES研究的跨越式发展，携手开启材料科学探索的新篇章。