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薄膜铌酸锂H cut技术
01
离子注入（n+注入）
- 离子注入
- 键合
- 退火
- 研磨
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02
Model: IH离子注入设备
- 采用400keV氢(H)/氦(He)注入技术，LN、LT H cut工艺
- 配备LN、LT基板工艺专用的注入方法，有效解决LN和LT基板特有的上升电压问题
- 同时适用于SiC和Si等材料的H cut工艺
铌酸锂刻蚀技术
铌酸锂应用：光通信器件
LN刻蚀的难点及ULVAC解决方案
-
LN刻蚀的问题点：
LN材料刻蚀过程中氟化锂、氯化锂等难以挥发的副产物再沉积，导致E/R降低粗糙度加大，侧壁角低，掩膜后退问题
-
Model：NLD 刻蚀解决方案
通过低压和高密度等离子体的方式、促进蚀刻表面反应、表面解吸激活，有效改善LN刻蚀结果
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